Modulo da tavolino 16GB 3200MHz CL16 1.35V di memoria di DDR4 RAM Faspeed P4H

modulo da tavolino faspeed di memoria di P4H DDR4 RAM 16GB 3200MHz (PC4 25600) CL16 1.35V con il dissipatore di calore

Descrizione del modulo da tavolino di memoria

• modulo da tavolino faspeed di memoria di P4H DDR4 RAM 16GB 3200MHz (PC4 25600) CL16 1.35V con il dissipatore di calore
• Sostiene le unità di elaborazione del lago coffee di Intel e le norme estreme di profilo di memoria di Intel (Intel XMP).
• Il dissipatore di calore di alluminio e la bassa tensione di 1.35V permettono alla dissipazione di calore veloce ed al consumo di energia più basso dell'hardware.
• Si accelera a 3200 MT/s/sincronizzazione 16-18-18-38/tensione 1.35V/non tamponato/8GB basato
• Di appoggio da una garanzia di vita per promettere i servizi completi e supporto tecnico.

Specificazione del modulo di memoria di computer

Caratteristica del modulo di memoria del simm

Colta veloce e scrivere velocità: La memoria flash è usata come il supporto di memorizzazione e la velocità colta è più veloce di quella dei dischi rigidi meccanici. Gli azionamenti semi conduttori non utilizzano le teste magnetiche ed il tempo di ricerca è quasi 0. Continuo scriva le velocità sono stupefacente

Colpisca la resistenza e la resistenza di goccia: I dischi rigidi tradizionali sono disco tipi ed i dati sono memorizzati nei settori del disco. L'azionamento semi conduttore è fatto delle particelle di memoria flash (IE MP3, disco di U ed altri supporti di memorizzazione), così là non è parti meccaniche dentro l'azionamento semi conduttore dello SSD, così anche nel caso di movimento ad alta velocità o persino con lanciare e la inclinazione, non colpirà l'operazione normale. usi e può minimizzare la possibilità di perdita di dati in caso di collisioni e scosse. Rispetto ai dischi rigidi tradizionali, gli azionamenti semi conduttori presentano un vantaggio assoluto.